@article { author = {khamseh, sara and kazemi, zahra}, title = {Synthesis and Evaluation of Tungsten, Tungsten nitride and Tungsten oxide films Prepared in a Magnetron Sputtering System}, journal = {Advanced Materials and New Coatings}, volume = {1}, number = {2}, pages = {31-40}, year = {2012}, publisher = {}, issn = {2322-1356}, eissn = {}, doi = {/amnc.2012.1.2.3}, abstract = {Tungsten, tungsten nitride and tungsten oxide coatings were prepared in a planar magnetron sputtering system at different sputtering conditions. Tungsten films prepared at different sputtering pressures and resulted to a mixture of WO3 and β-W phases while the peak intensity of WO3 phase was the lowest at an optimum sputtering pressure. Tungsten nitride and tungsten oxide coatings were deposited at different partial pressures of reactive gases at constant sputtering pressures. Total pressure was fixed at 9×10-3 torr while P(N2/Ar) ranged between 0.4-5 for nitride coatings and 0.25-2.5 for oxide coatings. At low reactive gas partial pressures, nitride and oxide phases were formed. However, by increasing the gas flow rate, coatings lost their long range order and amorphous like structure was formed. The surface roughness of the films prepared at higher partial pressure of reactive gas was higher. Lower adatoms mobility at higher reactive gas pressures leads to the formation of films with amorphous-like structure and higher roughness. The results showed that oxide films are more sensitive to the partial pressure of reactive gas compared to that of nitride films.}, keywords = {Tungsten,Tungsten nitride,Tungsten oxide,Thin film,Magnetron sputtering,Microstructure}, title_fa = {تهیه و ارزیابی لایه‌های نازک تنگستن، نیترید تنگستن و اکسید تنگستن در سیستم کندوپاش مغناطیسی}, abstract_fa = {   لایه‌های نازک تنگستن نیترید تنگستن و اکسید تنگستن در سیستم کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم تحت شرایط لایه نشانی مختلف تهیه شدند. پوشش‌های تنگستن تحت فشارهای کند و پاش مختلـف تهیه شـدند و آنالیز پراش اشعه ایکـس لایه‌های نازک تنگستن نشان داد که همگی شامل فازهای WO3 و β–W   بودند در حالیکه در یک فشار بهینه و شدت نوار فاز WO3 به حداقل رسید. مقادیر پهنای نوار (FWHM) برای فاز (111) β–W با افزایش فشار کندوپاش کاهش یافت. لایه‌های نازک نیترید و اکسید تنگستن تحت فشارهای نسبی گاز واکنشی مختلف و در فشار کندوپاش ثابت تهیه شدند. فشار کل در torr -3 10 × 9  ثابت شد در حالیکه فشار نسبی گاز واکنشی برای پوشش‌های نیتریدی در محدوده 0.4-5 و برای پوشش‌های اکسیدی در محدوده0.25-2.5   تغییر کرد. فازهای اکسید و نیترید تحت فشارهای نسبی گاز واکنشی پایین شکل گرفتند . با افزایش بیشتر مقدار گاز واکنشی ورودی به سیستم  لایه‌های نازک به تدریج نظم بلوری خود را از دست داده و در نهایت حالت آمورف پیدا کردند.}, keywords_fa = {ریزساختار,کندوپاش مغناطیسی,لایه نازک,اکسید تنگستن,نیترید تنگستن,تنگستن}, url = {https://amnc.aut.ac.ir/article_69533.html}, eprint = {} }