انجمن علمی رنگ ایران
مواد پیشرفته و پوشش های نوین
2322-1356
4
16
2014
06
20
بررسی خواص فتوولتاییک سلول خورشیدی حساس شده به مواد رنگزای ایندیگوئیدی در حضور یک عامل ضد تجمع
1105
1110
FA
مژگان
حسین نژاد
گروه پژوهشی مواد رنگزای آلی، موسسه پژوهشی علوم و فناوری رنگ و پوشش، تهران
سیامک
مرادیان
.قطب علمی رنگ، موسسه پژوهشی علوم و فناوری رنگ و پوشش، تهران/ دانشکده مهندسی پلیمر و رنگ، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران
کمال الدین
قرنجیگ
گروه پژوهشی مواد رنگزای آلی، موسسه پژوهشی علوم و فناوری رنگ و پوشش، تهران/ .قطب علمی رنگ، موسسه پژوهشی علوم و فناوری رنگ و پوشش، تهران
gharanjig@icrc.ac.ir
/amnc.2016.4.16.1
سلول های خورشیدی نانو ساختار حساس شده به مواد رنگزا بر پایه مواد رنگزای ایندیگوئیدیدارای راندمان تبدیل متوسط تا بالا هستند. این مواد رنگزای آلی به سادگی درگیر تشکیل<br />تجمعات می شوند. تجمعات تشکیل شده در مولکول ماده رنگزا سبب کاهش فرایند انتقالالکترون در سلول های خورشیدی حساس شده به مواد رنگزا می گردد. بنابراین، معمولا<br />به محلول ماده رنگزا در سلول های خورشیدی عوامل ضد تجمع اضافه می شود. برای بررسی اثر مواد ضد تجمع، ابتدا ویژگی های اسپکتروسکوپی مواد رنگزای ایندیگوئیدی در حالت جذب شده بر روی لایه دی اکسید تیتانیوم در حضور و غیاب یک ماده ضد تجمع مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان داد می گردد. در نهایت، سلول خورشیدی که حضور عامل ضد تجمع سبب کاهش تجمعات ناخواسته بر پایه مواد رنگزای ایندیگوئیدی تهیه گردید تا ویژگی های فوتوولتائیک و اثر ماده ضد تجمع بر روی آنها بررسی گردد.
ایندیگو,سلول خورشیدی حساس شده به مواد رنگزا,عامل ضد تجمع,بازده تبدیل,منحنی فوتوجریان-فوتوولتاژ
https://amnc.aut.ac.ir/article_68735.html
https://amnc.aut.ac.ir/article_68735_d41d8cd98f00b204e9800998ecf8427e.pdf
انجمن علمی رنگ ایران
مواد پیشرفته و پوشش های نوین
2322-1356
4
16
2016
06
19
بهبود مقاومت به خوردگی آلومینیوم از طریق اعمال پوشش نانوکامپوزیتی آلومینا/زیرکونیا به روش سل/ ژل
1111
1118
FA
مریم
حسینی زری
گروه پژوهشی رنگدانه های معدنی و لعاب، موسسه پژوهشی علوم و فناوری رنگ، تهران
نیما
صفا
آموزشکده فنی و حرفه ای سما، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرج، کرج
سارا
عبدالعزیزی
دانشکده مهندسی مواد و متالورژی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم تحقیقات، تهران
/amnc.2016.4.16.2
آلومینیوم و آلیاژهای آن پس از آهن بالاترین مصرف را در اکثر صنایع به خود اختصاص دادهاند. این آلیاژها نسبت به خوردگی و سایش مقاوم نیستند. یکی از روش های متداول برای<br />محافظت فلزات در برابر خوردگی و سایش های نرم، ایجاد پوشش های سرامیکی است. دراین تحقیق از روش سل/ ژل برای تهیه پوشش سرامیکی با نسبت های متفاوتی از آلومینا و<br />زیرکونیا بهره گرفته شد. در نهایت، پوشش ها پس از اعمال بر روی آلومینیوم در دماهای مختلف تحتعملیات حرارتی قرار گرفت. پوشش های حاصل با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و قطبشتافلی بررسی شدند. نتایج آزمایش های خوردگی حاکی از افزایش مقاومت به خوردگی نمونه هایی بود که در دمای کمتر عملیات حرارتی شده و حاوی میزان بیشتری زیرکونیا هستند
آلومینیوم,زیرکونیا,پوشش سرامیکی,خوردگی,نانوکامپوزیت,سل/ ژل
https://amnc.aut.ac.ir/article_68736.html
https://amnc.aut.ac.ir/article_68736_d41d8cd98f00b204e9800998ecf8427e.pdf
انجمن علمی رنگ ایران
مواد پیشرفته و پوشش های نوین
2322-1356
4
16
2016
06
19
تهیه پوشش های نانوکامپوزیتی آلی- معدنی ضدالکتریسیته ساکن بر پایه اپوکسی/سیلیکا دارای نانوذراتITO
1119
1128
FA
مصطفی
جعفری
گروه نانو تکنولوژی، معاونت پژوهشی جهاد دانشگاهی فارس، شیراز، ایران
حسن
فرهادنژاد
کمیته پژوهشی دانشجویان، گروه فارماسیوتیکس و نانوفناوری دارویی، دانشکده داروسازی، دانشگاه علوم پزشکی شهید بهشتی، تهران، ایران.
فائزه
قدیمی حرفه
گروه علوم پلیمر، پژوهشکده علوم، پژوهشگاه پلیمر و پتروشیمی ایران، تهران، ایران
/amnc.2016.4.16.3
در این پژوهش، پوش شهای پلیمری هیبریدی آلی/ معدنی بر پایه اپوکسی/ سیل کیا دارای مقادیر متفاوت نانوذرات ایندیم قلعا کسید تهیه شد و مقاومتا لکتریکی آنها مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور، برای تهیه پوشش هیبریدیا ز پیش ماده های3-گلیسیداکسی پروپیل تری متوکسی سیلان و تترا متوکسی سیلان ، درحضور اتیلن دی آمین به عنوان عامل پخت استفاده شد و فرآیند در دمای پایین و با استفاده از روش سُل- ژل انجام گرفت. نتایج حاصل از آزمون تفرق نور لیزر نشان داد که اندازه ی ذرات در محلول سُل هیبریدی بدون حضور نانوذراتITOو محلول هیبریدی دارای نانوذرات ITOدر ابعاد نانومتری است. آزمون م کیروسکوپ الکترونی عبوری نشان داد که ذراتITOمکعبی شکل و اندازه آن ها بین20-50نانومتر است. تصاویر سطح و سطح مقطع پوششهیبریدی نانوکامپوزیتی توسط م کیروسکوپ الکترونی روبشی نشان داد که نانوذراتITOتوزیع مناسبی با ضخامتحدود 10 میکرومتر دارند.بررسی خواصا لکتریکی ضدالکتریسیته ساکن و خواص نوری نشان داد که مقاومتا لکتریکیسطحی پوشش ها با افزایش مقدار نانوذراتITOبطور قابل توجهی کاهش می یابد و در محدوده بین1%تا 2%وزنیاز نانوذرات، پوشش ها ضمن دارا بودن خواص الکتریکی در محدوده ضدالکتریسیته ساکن، از شفافیت بالایی (بالای80%) برخوردارند.با استفاده از آزمون طیف سنجی فلورسانس اشعۀایکس- پراکنش انرژی ، حضور و توزیع مناسب عناصرسیلیسم،ایندیم و قلع در پوشش های هیبریدین انوکامپوزیتی دارای نانوذراتITOتأیید شد.
اپوکسی/ سیلیکا,نانوکامپوزیت,نانوذراتITO آلی-معدنی,ضد الکتریسیته ساکن,سُل-ژل
https://amnc.aut.ac.ir/article_68737.html
https://amnc.aut.ac.ir/article_68737_d41d8cd98f00b204e9800998ecf8427e.pdf
انجمن علمی رنگ ایران
مواد پیشرفته و پوشش های نوین
2322-1356
4
16
2016
06
19
آمایش سطحی نانو آلومینا با آمینوسیلان: بررسی اثر غلظت آمینوسیلان بر شیمی سطحی و کاربردی نانو آلومینا
1129
1146
FA
مهران
رستمی
گروه پژوهشی نانو فناوری رنگ، موسسه پژوهشی علوم و فناوری رنگ و پوشش، تهران
/amnc.2016.4.16.4
در این تحقیق، اصلاع سطحی نانو ذرات آلومینا از نوع گاما با آمینو پروپیل تری متوکسی سیلان انجام شد. اصلاح سطحی تحت شرایط هیدرولیز و تراکمی در غلظت های مختلف<br />و با در نظر گرفتن نقطه ایزوالکتریک نانو آلومینا صورت گرفت. به منظور کمی کردن فرایند آمایش سطحی ذرات، یکسری آزمون برای شناسایی ذرات آمایش شده انجام شد. این آزمونها شامل اندازه گیری چگالی،PH،تجزیه و تحلیل حرارتی ، تحلیل عنصری ، مساحت سطح BETو پتانسیل زتا بوده است. جهت بررسی برهمکنش سطحی و شیمیایی ذرات اصلاح شده و اصلاح نشده با ماتریس رزینی، آزمون های دینامیکی- مکانیک حرارتی ، میزان پخت، چگالی شبکه ای شدن و میزان مه گونگی پوشش نانو کامپوزیتی بررسی شد. نتایج نشان داد که با افزایش میزان سیلان سطحی،برهمکنش های فیزیکی و شیمیایی ذرات با ماتریس رزینی پلی یورتان افزایش یافته و در نتیجه خواص مکانیکی افزایش می یابد. با توجه به محدود بودن گروه های هیدروکسیل قابل واکنش در سطح آلومینا،میزان سیلان واکنش کرده در سطح نیز محدود بوده است.
نانو گاما آلومینا,آمایش سطحی,آمینو سیلان,پوشش شفاف پلی یورتان
https://amnc.aut.ac.ir/article_68738.html
https://amnc.aut.ac.ir/article_68738_d41d8cd98f00b204e9800998ecf8427e.pdf
انجمن علمی رنگ ایران
مواد پیشرفته و پوشش های نوین
2322-1356
4
16
2016
06
19
سرامیک پیزوالکتریک بدو ن سرب نایوبات پتاسیم- سدیم؛ دشواری های فرآیند ساخت و مزیت های نسبی ایران: مطالعۀ موردی ایران و اسلوونی
1148
1158
FA
مهدی
فیض پور
پژوهشکدۀ سرامیک، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج، البرز
تورج
عبادزاده
پژوهشکدۀ سرامیک، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج، البرز
/amnc.2016.4.16.5
در بین ترکیبات مختلف ارائه شده در حوزۀ پیزوالکتری کهای بدو نسرب، نایوبات پتاسیم/ سدیم[KNN]به علت دارابودن دانسیتۀ کمتر و خواص الکتریکی قاب لقبول و نیز توانایی کارکرد در دماهای بالاتر،ا ز اهمیتویژ های برخوردار است. یکیا ز مشکلات اساسی کار با سرامیکKNNحساسیت این ترکیب به رطوبت هوا م یباشد. این پژوهش بر آن است تا مشخص کند شرایط آب و هوایی چگونه و تا چه حد م یتواند ویژگی های سرامیک پیزوالکتریک KNNرا تحت تاثیر قرار دهد. به همین منظور فرآیندهای سنتز و زینترا ین ماده در دو شهربا درصدهای رطوبت نسبی متفاوت در کشورهای ایران و اسلوونی موردبررسی قرار گرفت. دانسیتۀ نسبی نمونۀ سنتز/زینتر شده درایران و در کشوراسلوونی به ترتیب برابر94%و 91/5%م یباشد. با اعمال پیش حرارت دهی در منحنی زینترنمونه ها دراسلوونی در دمای45 درجه سانتیگراد به مدت 4 ساعتو نیز زینتر نمونه ها به صورت بوته باز، دانسیتۀ نمونه ها دراسلوونی تا93/4%ا فزایش یافت. کمتربودن دانسیتۀنمونه ها دراسلوونی با ارائۀ مکانیزمی مبتنی بر تشکیل و ذوب هیدروکسیدهاو کربناتهای قلیایی در دماهایی زیر دمای زینتر سرامیکKNN,که میتواند منجربه افزایش اندازۀ ذرات درست قبل ازشروع فرآیند زینتر شود، توجیه شدها ست. همچنین در منحنی تلفات الکتریکی بر حسب دما حین سردکردن، یک افزایشقابل ملاحظ های در مقدار فاکتور تلفات الکتریکی در سردشدن از دمای100 درجه سانتیگراد تا دمای محیط مشاهده شد. این مسأله نشان میدهد رطوبت بالای هوا در اسلوونی باعث میشود خواص دی الکتریک اندازه گیری شده به ویژه در دمایمحیط در فرکانس های پایین، مقادیر واقعی نباشند.
رطوبت هوا,دی اکسیدکربن,سنتز,نایوبات پتاسیم/ سدیم,پیزوالکتریک بدون سرب
https://amnc.aut.ac.ir/article_68739.html
https://amnc.aut.ac.ir/article_68739_d41d8cd98f00b204e9800998ecf8427e.pdf
انجمن علمی رنگ ایران
مواد پیشرفته و پوشش های نوین
2322-1356
4
16
2016
06
19
تهیه پوشش محافظ سلول های خورشیدی فضایی بر پایه نانوقفسPOSSو ارزیابی پایداری آن در برابر چرخه حرارتی
1159
1168
FA
مهدی
رنجبر
دانشگاه صنعتی مالک اشتر، دانشکده شیمی کاربردی، شاهین شهر اصفهان
کمال
قانی
دانشگاه صنعتی مالک اشتر، دانشکده شیمی کاربردی، شاهین شهر اصفهان
عباس
زالی
دانشگاه صنعتی مالک اشتر، دانشکده شیمی کاربردی، شاهین شهر اصفهان
/amnc.2016.4.16.6
محافظت از سلو لها ی خورشیدی در فضا یکی از چالش هایی است که متخصصان علوم فضایی با آن روبرو هستند. در تحقیق حاضر سایG سسکویی اکسان الیگومری چندوجهی حاوی گروه های گلایسیدوکسی پروپیل و متیل سنتز شده و با روش های FT-IR،29Si NMR و TG شناسایی گردید. تأثیر افزایش سایل سسکویی اکسان به رزین تهیه شده از تترااتیل ارتو سیلیکات، زیرکونیم(IV)ایزوپروپوکسید و 3-گلایسیدوکسی پروپیل تری متوکسی سیلان از نقطه نظر پایداری پوشش آنها در برابر چرخه حرارتی ارزیابی گردید. اثر چرخه حرارتی روی سلو لهایخورشیدی سیلیکونی چندبلوری بدون پوشش و با پوشش بررسی شد. نتایج نشان دادند که سلو ل هایخورشیدی پوشش دهی شده با نانوافزودنی سایل سسکویی اکسان در مقایسه با سلول ها ی خورشیدی فاقد پوشش مقاومت بهتری در چرخه حرارتی دارند.
سلو ل های خورشیدی سیلیکونی فضایی,چرخه حرارتی,پوش شدهی,نانو افزودنی POSS
https://amnc.aut.ac.ir/article_68740.html
https://amnc.aut.ac.ir/article_68740_d41d8cd98f00b204e9800998ecf8427e.pdf
انجمن علمی رنگ ایران
مواد پیشرفته و پوشش های نوین
2322-1356
4
16
2016
06
19
ارزیابی تأثیر اصلاح کننده سطح تیولی بر خواص نوری نقاط کوانتومی سولفید روی سنتز شده در دمای بالا
1169
1178
FA
علی
امیری زرندی
دانشکده مهندسی پلیمر و رنگ، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران/پژوهشکده رنگ و پلیمر، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران
علی اصغر
صباغ الوانی
پژوهشکده رنگ و پلیمر، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران
sabbagh_alvani@aut.ac.ir
رضا
سلیمی
0000-0003-1218-6706
پژوهشکده رنگ و پلیمر، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران
r-salimi@aut.ac.ir
حسن
سامعی
پژوهشکده رنگ و پلیمر، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران
شیما
موسی خانی
پژوهشکده رنگ و پلیمر، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران
مژده
طاهریان
دانشکده مهندسی پلیمر و رنگ، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران
حمیدرضا
هدایتی
دانشکده مهندسی پلیمر و رنگ، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران
سجاد
کیانی
دانشکده مهندسی پلیمر و رنگ، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران
/amnc.2016.4.16.7
در این مقاله، نقاط کوانتومی ZnS،به روش آبی در دمای بالا(75درجه سانتیگراد)سنتز شد و جهت ارزیابی تأثیر غلظت اصلاح کننده سطح تیوگلایکولیک اسید بر روی خواص فتوفیزیکی و ریزساختار نانو ذرات، از آزمو نهای پراش اشعه ایکس، طیف سنجی تبدیل فوریه مادون قرمز،میکروسکوپ الکترونی روبشی، جذب مرئی-فرابنفش و اسپکتروفوتومتری فتولومینسنسی استفاده شد. نتایج نشان داد نانو ذرات سولفید روی مکعبی، با اندازه کریستال 4-3 نانومتر،با ریزساختار نسبتاً یکنواخت و کروی با موفقیت سنتز شده است. طیف جذبی در ناحیه فرابنفش نشان از جابجایی محدوده جذب به طول موج پایی نتر برای نمونه سنتز شده در حضور اصلاح کننده سطح نسبت به نمونه بدون اصلاح کننده داشت. اسپکتروفوتومتری فتولومینسنسی نشان داد نانو ذرات تا 180 روز از پایداری نوری قابل قبولی برخوردارند. همچنین بررسی شدت نشر نقاط کوانتومی با غلظ تهای مختلف اصلاح کننده نشان داد زمانی که دمای سنتز افزایش می یابد، اصلاح کننده سطح در غلظت 100%به عملکردبهینه می رسد.
نقاط کوانتومی,اصلاح کننده سطح,لومینسنس,روش آبی,تیوگلایکولیک اسید
https://amnc.aut.ac.ir/article_68741.html
https://amnc.aut.ac.ir/article_68741_d41d8cd98f00b204e9800998ecf8427e.pdf