لایه‌های نازک تنگستن نیترید تنگستن و اکسید تنگستن در سیستم کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم تحت شرایط لایه نشانی مختلف تهیه شدند. پوشش‌های تنگستن تحت فشارهای کند و پاش مختلـف تهیه شـدند و آنالیز پراش اشعه ایکـس لایه‌های نازک تنگستن نشان داد که همگی شامل فازهای WO3 و β–W بودند در حالیکه در یک فشار بهینه و شدت نوار فاز WO3 به حداقل رسید. مقادیر پهنای نوار (FWHM) برای فاز (111) β–W با افزایش فشار کندوپاش کاهش یافت. لایه‌های نازک نیترید و اکسید تنگستن تحت فشارهای نسبی گاز واکنشی مختلف و در فشار کندوپاش ثابت تهیه شدند. فشار کل در torr -3 10 × 9 ثابت شد در حالیکه فشار نسبی گاز واکنشی برای پوشش‌های نیتریدی در محدوده 0.4-5 و برای پوشش‌های اکسیدی در محدوده0.25-2.5 تغییر کرد. فازهای اکسید و نیترید تحت فشارهای نسبی گاز واکنشی پایین شکل گرفتند . با افزایش بیشتر مقدار گاز واکنشی ورودی به سیستم لایه‌های نازک به تدریج نظم بلوری خود را از دست داده و در نهایت حالت آمورف پیدا کردند.
خمسه, سارا, & کاظمی, زهرا سادات. (1391). تهیه و ارزیابی لایه‌های نازک تنگستن، نیترید تنگستن و اکسید تنگستن در سیستم کندوپاش مغناطیسی. مواد پیشرفته و پوشش های نوین, 1(2), 31-40. doi: /amnc.2012.1.2.3
MLA
سارا خمسه; زهرا سادات کاظمی. "تهیه و ارزیابی لایه‌های نازک تنگستن، نیترید تنگستن و اکسید تنگستن در سیستم کندوپاش مغناطیسی". مواد پیشرفته و پوشش های نوین, 1, 2, 1391, 31-40. doi: /amnc.2012.1.2.3
HARVARD
خمسه, سارا, کاظمی, زهرا سادات. (1391). 'تهیه و ارزیابی لایه‌های نازک تنگستن، نیترید تنگستن و اکسید تنگستن در سیستم کندوپاش مغناطیسی', مواد پیشرفته و پوشش های نوین, 1(2), pp. 31-40. doi: /amnc.2012.1.2.3
VANCOUVER
خمسه, سارا, کاظمی, زهرا سادات. تهیه و ارزیابی لایه‌های نازک تنگستن، نیترید تنگستن و اکسید تنگستن در سیستم کندوپاش مغناطیسی. مواد پیشرفته و پوشش های نوین, 1391; 1(2): 31-40. doi: /amnc.2012.1.2.3
)