تهیه و ارزیابی لایه‌های نازک تنگستن، نیترید تنگستن و اکسید تنگستن در سیستم کندوپاش مغناطیسی

نوع مقاله: مقاله پژوهشی

نویسندگان

گروه پژوهشی نانو مواد و نانو فناوری، موسسه پژوهشی علوم و فناوری رنگ، تهران

چکیده

 
 لایه‌های نازک تنگستن نیترید تنگستن و اکسید تنگستن در سیستم کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم تحت شرایط لایه نشانی مختلف تهیه شدند. پوشش‌های تنگستن تحت فشارهای کند و پاش مختلـف تهیه شـدند و آنالیز پراش اشعه ایکـس لایه‌های نازک تنگستن نشان داد که همگی شامل فازهای WO3 و β–W   بودند در حالیکه در یک فشار بهینه و شدت نوار فاز WO3 به حداقل رسید. مقادیر پهنای نوار (FWHM) برای فاز (111) β–W با افزایش فشار کندوپاش کاهش یافت. لایه‌های نازک نیترید و اکسید تنگستن تحت فشارهای نسبی گاز واکنشی مختلف و در فشار کندوپاش ثابت تهیه شدند. فشار کل در torr -3 10 × 9  ثابت شد در حالیکه فشار نسبی گاز واکنشی برای پوشش‌های نیتریدی در محدوده 0.4-5 و برای پوشش‌های اکسیدی در محدوده0.25-2.5   تغییر کرد. فازهای اکسید و نیترید تحت فشارهای نسبی گاز واکنشی پایین شکل گرفتند . با افزایش بیشتر مقدار گاز واکنشی ورودی به سیستم  لایه‌های نازک به تدریج نظم بلوری خود را از دست داده و در نهایت حالت آمورف پیدا کردند.

کلیدواژه‌ها